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Fortunato Pezzimenti

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Qualifica: Ricercatore universitario
Telefono: +39 0965 1693274
Fax: +39 09651693463
Indirizzo e-mail:  Indirizzo e-mail
Curriculum:  Curriculum
SSD: ING-INF/01 - Elettronica
Struttura di appartenenza: Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, delle Infrastrutture e dell'Energia Sostenibile

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Pubblicazioni

  1. 1. H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, A. Yousfi, G. De Martino, F. G. Della Corte, Impact of a non-uniform p-base doping concentration on the electrical characteristics of a low power MOSFET in 4H-SiC, Proceedings of the IEEE International Conference on Advanced Electrical Engineering, ICAEE 2019, November 19-21. Algiers, Algeria, Contributo in Atti di convegno, In stampa.
  2. 2. Tinedert I. E., Pezzimenti F., Megherbi M. L., Saadoune A., Design and simulation of a high efficiency CdS/CdTe solar cell, "Optik", Articolo in rivista, n. 164112, In stampa, ISSN: 0030-4026.
  3. 3. A. Yousfi, H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, L. Saidi, M. A. Abdi, F. Meddour, D. Khezzar, Possible efficiency boosting of tandem solar cell by using single antireflection coating and BSF layer, 1st International Conference on Sustainable Renewable Energy Systems and Applications (ICSRESA), December 04-05, 2019, Tebassa, Algeria, Contributo in Atti di convegno, In stampa.
  4. 4. H. Bencherif, A. Yousfi, L. Dehimi, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Analysis of Al2O3 high-k gate dielectric effect on the electrical characteristics of a 4H-SiC low-power MOSFET, 1st International Conference on Sustainable Renewable Energy Systems and Applications (ICSRESA), December 04-05, 2019, Tebassa, Algeria, Contributo in Atti di convegno, In stampa.
  5. 5. A. Menani, L. Dehimi, F. Pezzimenti, S. Dehimi, Modelling and optical response of a compressive-strained AlGaN/GaN quantum well laser diode, "Journal of semiconductors", Articolo in rivista, In stampa, ISSN: 1674-4926.
  6. 6. M. Benaicha, L. Dehimi, F. Pezzimenti, F. Bouzid, Simulation analysis of a high efficiency GaInP/Si multijunction solar cell, "Journal of semiconductors", Articolo in rivista, n. 41, 2020, ISSN: 1674-4926.
  7. 7. K. Zeghdar, L. Dehimi, F. Pezzimenti, M. L. Megherbi, F. G. Della Corte, Analysis of the electrical characteristics of Mo/4H-SiC Schottky barrier diodes for temperature sensing applications, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, n. 49, 2020, pp. 1322-1329, ISSN: 0361-5235.
  8. 8. Y. Marouf, L. Dehimi, F. Pezzimenti, Simulation study for the current matching optimization in In0.48Ga0.52N/In0.74 Ga0.26N dual junction solar cells, "Superlattices and microstructures", Articolo in rivista, n. 130, 2019, pp. 377-389, ISSN: 0749-6036.
  9. 9. F. G. Della Corte, G. Pangallo, S. Rao, Carotenuto R, D. Iero, M. Merenda, F. Pezzimenti, Use of 4H-SiC-based Diodes as Temperature Sensors, Proceedings of the IEEE International Semiconductor Conference, CAS 2019, 9-11 October, Sinaia, Romania, Contributo in Atti di convegno, 2019, pp. 71-74, ISBN: 978-1-7281-1888-8.
  10. 10. Zeghdar K., Dehimi L., Pezzimenti F., Rao S., F. G. Della Corte, Simulation and analysis of the current-voltage-temperature characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes, "Japanese journal of applied physics", Articolo in rivista, n. 58, 2019, pp. 14002, ISSN: 1347-4065.
  11. 11. H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Improving the efficiency of a-Si:H/c-Si thin heterojunction solar cells by using both antireflection coating engineering and diffraction grating, "Optik", Articolo in rivista, n. 182, 2019, pp. 682-693, ISSN: 0030-4026.
  12. 12. H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, A. Yousfi, Analytical model for the light trapping effect on ZnO:Al/c-Si/SiGe/c-Si solar cells with an optimized design, Proceedings of the 2018 International Conference on Applied Smart Systems, ICASS, November 2018, Mčdča, Algeria, Contributo in Atti di convegno, 2019.
  13. 13. A. Fritah, L. Dehimi, F. Pezzimenti, A. Saadoune, B. Abay, Analysis of I-V-T Characteristics of Au/n-InP Schottky barrier diodes with modeling of nanometer-sized patches at low temperature, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, n. 48, 2019, pp. 3692-3698, ISSN: 0361-5235.
  14. 14. K. Zeghdar, H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Analysis of the current-voltage-temperature characteristics of W/4H-SiC Schottky barrier diodes for high performance temperature sensors, Proceedings of the IEEE International Semiconductor Conference, CAS 2019, 9-11 October, Sinaia, Romania, Contributo in Atti di convegno, 2019.
  15. 15. F. Pezzimenti, H. Bencherif, A. Yousfi, L. Dehimi, Current-voltage analytical model and multiobjective optimization of design of a short channel gate-all-around-junctionless MOSFET, "Solid-state electronics", Articolo in rivista, n. 161, 2019, pp. 107642, ISSN: 0038-1101.
  16. 16. H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Temperature and SiO2/4H-SiC interface trap effects on the electrical characteristics of low breakdown voltage MOSFETs, "Applied physics. a, materials science & processing", Articolo in rivista, n. 125, 2019, pp. 294, ISSN: 0947-8396.
  17. 17. F. Bouzid, F. Pezzimenti, L. Dehimi, F. G. Della Corte, M. Hadjab, A. Hadj Larbi, Analytical modeling of dual-junction tandem solar cells based on an InGaP/GaAs heterojunction stacked on a Ge substrate, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, n. 48, 2019, pp. 4107-4116, ISSN: 0361-5235.
  18. 18. H. Bencherif, L. Dehimi, F. Pezzimenti, G. De Martino, F. G. Della Corte, Multiobjective optimization of design of 4H-SiC power MOSFETs for specific applications, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, n. 48, 2019, pp. 3871-3880, ISSN: 0361-5235.
  19. 19. F. G. Della Corte, G. De Martino, F. Pezzimenti, G. Adinolfi, G. Graditi, Numerical simulation study of a low breakdown voltage 4H-SiC MOSFET for photovoltaic module-level applications, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 65, 2018, pp. 3352-3360, ISSN: 0018-9383.
  20. 20. L. Dehimi, F. Bouzid, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Numerical simulation of an effective AlGaN-based ultraviolet photodetector, UK Semiconductors 2018, Contributo in Atti di convegno, 2018.
  21. 21. G. De Martino, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Study of a novel low breakdown voltage 4H-SiC MOSFET for PV module-level applications, The 50th Annual Meeting of the Associazione Societą Italiana di Elettronica -SIE 2018, Contributo in Atti di convegno, 2018.
  22. 22. M. L. Megherbi, F. Pezzimenti, L. Dehimi, A. Saadoune, F. G. Della Corte, Analysis of trapping effects on the forward current-voltage characteristics of al-implanted 4H-SiC p-i-n Diodes, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 65, 2018, pp. 3371-3378, ISSN: 0018-9383.
  23. 23. Y. Marouf, L. Dehimi, F. Bouzid, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Theoretical design and performance of InxGa1-xN single junction solar cell, "Optik", Articolo in rivista, n. 163, 2018, pp. 22-32, ISSN: 0030-4026.
  24. 24. M. L. Megherbi, F. Pezzimenti, L. Dehimi, A. Saadoune, F. G. Della Corte, Analysis of the forward I-V characteristics of Al-implanted 4H-SiC p-i-n diodes with modeling of recombination and trapping effects due to intrinsic and doping-induced defect states, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, n. 47, 2018, pp. 1414-1420, ISSN: 0361-5235.
  25. 25. G. De Martino, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Interface trap effects in the design of a 4H-SiC MOSFET for low voltage applications, Proceedings of the IEEE International Semiconductor Conference, CAS 2018-October, Sinaia, Romania, Contributo in Atti di convegno, 2018, pp. 147-150.
  26. 26. F. Bouzid, L. Dehimi, F. Pezzimenti, M. Hadjab, A. H. Larbi, Numerical simulation study of a high efficient AlGaN-based ultraviolet photodetector, "Superlattices and microstructures", Articolo in rivista, 2018, pp. 57-73, ISSN: 0749-6036.
  27. 27. F. Bouzid, F. Pezzimenti, L. Dehimi, M. L. Megherbi, F. G. Della Corte, Numerical simulations of the electrical transport characteristics of a Pt/n-GaN Schottky diode, "Japanese journal of applied physics", Articolo in rivista, n. 56, 2017, pp. 94301, ISSN: 0021-4922.
  28. 28. F. Bouzid, L. Dehimi, F. Pezzimenti, Performance analysis of a thin Pt/n-GaNSchottky barrier ultraviolet photodetector, Proceedings of the International Conference on Electronics and New Technologies, ICENT-2017. M'Sila, Algeria, Contributo in Atti di convegno, 2017.
  29. 29. G. De Martino, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, G. Adinolfi, G. Graditi, Design and numerical characterization of a low voltage power MOSFET in 4H-SiC for photovoltaic applications, Proceedings of the 13th Conference on PhD Research in Microelectronics and Electronics, PRIME 2017-June. Taormina, Italy, Contributo in Atti di convegno, 2017.
  30. 30. F. Bouzid, L. Dehimi, F. Pezzimenti, Performance analysis of a Pt/n-GaN Schottky barrier UV detector, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, n. 46, 2017, pp. 6563-6570, ISSN: 0361-5235.
  31. 31. M. L. Megherbi, L. Dehimi, W. Terghini, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Electrical characterization of the forward current voltage of Al implanted 4H-SiC pin diodes, Courrier du Savoir. ISNN, Contributo in Atti di convegno, Vol. 19, 2015, pp. 71-76.
  32. 32. M. L. Megherbi, F. Pezzimenti, L. Dehimi, S. Rao, F. G. Della Corte, Analysis of different forward current-voltage behaviours of Al implanted 4H-SiC vertical p-i-n diodes, "Solid-state electronics", Articolo in rivista, n. 109, 2015, pp. 12-16, ISSN: 0038-1101.
  33. 33. S. Rao, G. Pangallo, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes, "Ieee electron device letters", Articolo in rivista, n. 36, 2015, pp. 720-722, ISSN: 0741-3106.
  34. 34. S. Bellone, R. Nipoti, Pezzimenti Fortunato, Della Corte Francesco Giuseppe, Steady-state analysis of a normally-off 4H-SiC trench Bipolar-Mode FET, in: Alexander, Mikhail E. Levinshtein, Silicon Carbide and related materials, Scientific.Net, Vol. 740 - 742, 2013, pp. 942-945.
  35. 35. F. Pezzimenti, Modeling of the steady state and switching characteristics of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 60, 2013, pp. 1404-1411, ISSN: 0018-9383.
  36. 36. F. Pezzimenti, S. Bellone, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications, Proceedings of the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2012, Contributo in Atti di convegno, 2012.
  37. 37. Della Corte Francesco Giuseppe, Pezzimenti Fortunato, Static and transient analysis of a 4H-SiC trench Bipolar Mode FET with normally-off characteristics, Proceedings of the 35th International Semiconductor Conference, CAS 2012; Sinaia; Romania; 15-17 October 2012, Contributo in Atti di convegno, 2012, pp. 347-350, ISBN: 978-146730736-9.
  38. 38. Bellone S., Nipoti R., Della Corte Francesco Giuseppe, Pezzimenti Fortunato, Numerical simulations of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics, Silicon Carbide and Related Materials 2010, Contributo in Atti di convegno, Vol. 679-680, 2011, pp. 621-624, ISBN: 9783037850794.
  39. 39. S. Bellone, F. G. Della Corte, L. Di Benedetto, G. D. Licciardo, F. Pezzimenti, Investigation of 4H-SiC Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET) as high power transistor, XLIII Riunione Annuale del Gruppo Elettronica, GE2011. Trani, Italy, Contributo in Atti di convegno, 2011.
  40. 40. S. Bellone, F. G. Della Corte, L. Freda Albanese, F. Pezzimenti, An analytical model of the forward I-V characteristics of 4H-SiC p-i-n diodes valid for a wide range of temperature and current, "Ieee transactions on power electronics", Articolo in rivista, n. 26, 2011, pp. 2835-2843, ISSN: 0885-8993.
  41. 41. Pezzimenti Fortunato, Della Corte Francesco Giuseppe, Design and modeling of a novel 4H-SiC normally-off BMFET transistor for power applications, Proceedings of the 15th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference, MELECON 2010, Contributo in Atti di convegno, 2010, pp. 1129-1134.
  42. 42. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, S. Bellone, R. Nipoti, Simulation analysis of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics, Proceedings of the 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2010, 29 Aug - 2 Sep, Contributo in Atti di convegno, 2010.
  43. 43. F. Pezzimenti, L. Freda Albanese, S. Bellone, F. G. Della Corte, Analytical model for the forward current of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes in a wide range of temperatures, Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009. Capri, Italy, Contributo in Atti di convegno, 2009, pp. 214-217.
  44. 44. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration, Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009. Capri, Italy, Contributo in Atti di convegno, 2009, pp. 210-213.
  45. 45. F. G. Della Corte, F. Aquilino, L. Fragomeni, M. Merenda, F. Pezzimenti, F. Zito, A microchip integrated temperature sensor with RF communication channel and on-chip antenna, "Procedia chemistry", Articolo in rivista, n. 1, 2009, pp. 473-476, ISSN: 1876-6196.
  46. 46. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour, "Microelectronics journal", Articolo in rivista, n. 39, 2008, pp. 1594-1599, ISSN: 0959-8324.
  47. 47. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, R. Nipoti, Simulation and experimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes, "Microelectronics journal", Articolo in rivista, n. 38, 2007, pp. 1273-1279, ISSN: 0959-8324.
  48. 48. F. Della Corte, F. Pezzimenti, R. Nipoti, Simulation study and design considerations for an 4H-SiC aluminium implanted p-i-n diode, The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Contributo in Atti di convegno, 2006.
  49. 49. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor, "Microelectronics journal", Articolo in rivista, n. 35, 2004, pp. 411-415, ISSN: 0959-8324.
  50. 50. S. Perri, P. Corsonello, F. Pezzimenti, V. Kantabutra, Fast and energy-efficient Manchester carry-bypass adders, "Iee proceedings. circuits, devices and systems", Articolo in rivista, n. 151, 2004, pp. 497-502, ISSN: 1350-2409.
  51. 51. Della Corte Francesco Giuseppe, Pezzimenti Fortunato, Design and simulation of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high frequency characteristics, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Contributo in Atti di convegno, Vol. 5117, 2003, pp. 547-556.
  52. 52. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Study of the DC characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors with an a-Si:H emitter, 20th Internat. Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Contributo in Atti di convegno, 2003.
  53. 53. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design of a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with improved DC and AC characteristics, "Iee proceedings. circuits, devices and systems", Articolo in rivista, n. 150, n°4, 2003, pp. 350-354, ISSN: 1350-2409.
  54. 54. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design considerations for a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistors, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 50, 2003, pp. 2180-2182, ISSN: 0018-9383.
  55. 55. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design and simulation of an a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor, The 32th European Solid-State Device Research Conference, Contributo in Atti di convegno, 2002.
  56. 56. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency, "Journal of non-crystalline solids", Articolo in rivista, n. 299-302, 2002, pp. 1365-1369, ISSN: 0022-3093.
  57. 57. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Simulation study of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high frequency characteristics, 1st aSi-Net and 8th Euroregional Workshop on Thin Silicon Devices, Contributo in Atti di convegno, 2002.
  58. 58. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency, 9th Internat. Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Contributo in Atti di convegno, 2001.


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Insegnamento: MICROELETTRONICA

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Spostamento Lezione teledidattica di venerdì 27 dalle 9-13 alle 11-13 e 15-17
Via dell'Universitą, 25 (gią Salita Melissari) - 89124 Reggio Calabria - CF 80006510806 - Fax 0965 332201 - URP:Indirizzo di posta elettronica dell'ufficio relazioni con il pubblico- PEC:Indirizzo di posta elettronica certificata dell'amministrazione
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