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Fortunato Pezzimenti

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Qualifica: Ricercatore universitario
Telefono: +39 0965 1693274
Fax: +39 0965875463
Indirizzo e-mail:  Indirizzo e-mail
Sito web: http://www.ing.unirc.it
Curriculum:  Curriculum
SSD: ING-INF/01 - Elettronica
Struttura di appartenenza: Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, delle Infrastrutture e dell'Energia Sostenibile

Anno Accademico 2017/2018


Anno Accademico 2016/2017


Anno Accademico 2015/2016


Anno Accademico 2014/2015


Anno Accademico 2013/2014


Anno Accademico 2012/2013



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Descrizione Avviso
Giovedi 11:00-12:00
Si consiglia in ogni caso di contattare preventivamente il docente tramite e-mail per confermare l'appuntamento o concordare giorno e orario differenti.

Pubblicazioni

  1. 1. M. L. Megherbi, F. Pezzimenti, L. Dehimi, A. Saadoune, F. G. Della Corte, Analysis of the Forward I-V Characteristics of Al-Implanted 4H-SiC p-i-n Diodes with Modeling of Recombination and Trapping Effects Due to Intrinsic and Doping-Induced Defect States, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, 2018, ISSN: 0361-5235.
  2. 2. Y. Marouf, L. Dehimi, F. Bouzid, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Theoretical design and performance of InxGa1-xN single junction solar cell, "Optik", Articolo in rivista, 2018, ISSN: 0030-4026.
  3. 3. F. Bouzid, F. Pezzimenti, L. Dehimi, M. L. Megherbi, F. G. Della Corte, Numerical simulations of the electrical transport characteristics of a Pt/n-GaN Schottky diode, "Japanese journal of applied physics", Articolo in rivista, 2017, ISSN: 0021-4922.
  4. 4. G. De Martino, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, G. Adinolfi, G. Graditi, Design and numerical characterization of a low voltage power MOSFET in 4H-SiC for photovoltaic applications, PRIME 2017 - 13th Conference on PhD Research in Microelectronics and Electronics, Proceedings, Contributo in Atti di convegno, 2017.
  5. 5. F. Bouzid, L. Dehimi, F. Pezzimenti, Performance Analysis of a Pt/n-GaN Schottky Barrier UV Detector, "Journal of electronic materials", Articolo in rivista, 2017, ISSN: 0361-5235.
  6. 6. M. L. Megherbi, L. Dehimi, W. Terghini, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF THE FORWARD CURRENTVOLTAGE OF AL IMPLANTED 4H-SIC PIN DIODES, Courrier du Savoir, Contributo in Atti di convegno, Vol. 19, 2015, pp. 71-76.
  7. 7. M. L. Megherbia, F. Pezzimenti, L. Dehimi, S. Rao, F. G. Della Corte, Analysis of different forward current-voltage behaviours of Al implanted 4H-SiC vertical p-i-n diodes, "Solid-state electronics", Articolo in rivista, n. 109, 2015, pp. 12-16, ISSN: 0038-1101.
  8. 8. S. Rao, G. Pangallo, F. Pezzimenti, F. Della Corte, High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes, "Ieee electron device letters", Articolo in rivista, n. 36, 2015, pp. 720-722, ISSN: 0741-3106.
  9. 9. F. Pezzimenti, S. Bellone, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Steady-State Analysis of a Normally-Off 4H-SiC Trench Bipolar-Mode FET, Contributo in Atti di convegno, Vol. 740 - 742, 2013, pp. 942-945.
  10. 10. F. Pezzimenti, Modeling of the Steady State and Switching Characteristics of a Normally-off 4H-SiC Trench Bipolar-Mode FET, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 60, 2013, pp. 1404-1411, ISSN: 0018-9383.
  11. 11. F. Pezzimenti, S. Bellone, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications, The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM12), Contributo in Atti di convegno, 2012.
  12. 12. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Static and Transient Analysis of a 4H-SiC Trench Bipolar- Mode FET with Normally-off Characteristics, The 35th International Semiconductor Conference (CAS 2012), Contributo in Atti di convegno, 2012.
  13. 13. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, S. Bellone, R. Nipoti, Numerical simulations of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics, "Materials science forum", Articolo in rivista, n. 679-680, 2011, pp. 621-624, ISSN: 0255-5476.
  14. 14. Bellone S, Della Corte F. G, Di Benedetto L, Licciardo G. D, F. Pezzimenti, Investigation of 4H-SiC Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET) as high power transistor, XLIII Riunione Annuale del Gruppo Elettronica (GE2011), Contributo in Atti di convegno, 2011.
  15. 15. S. Bellone, F. G. Della Corte, L. Freda Albanese, F. Pezzimenti, An Analytical Model of the Forward I-V Characteristics of 4H-SiC p-i-n Diodes Valid for a Wide Range of Temperature and Current, "Ieee transactions on power electronics", Articolo in rivista, n. 26, 2011, pp. 2835-2843, ISSN: 0885-8993.
  16. 16. F. Pezzimenti, F. Della Corte, Design and Modeling of a Novel 4H-SiC Normally-Off BMFET Transistor for Power Applications, The 15th Mediterranean Electrotechnical Conference, Contributo in Atti di convegno, 2010, pp. 1129-1134, ISBN: 978-142445795-3.
  17. 17. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, S. Bellone, R. Nipoti, Simulation analysis of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics, The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Contributo in Atti di convegno, 2010.
  18. 18. F. Pezzimenti, L. Freda Albanese, S. Bellone, F. G. Della Corte, Analytical model for the forward current of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes in a wide range of temperatures, Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Contributo in Atti di convegno, 2009, pp. 214-217, ISBN: 978-142444896-8.
  19. 19. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration, Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Contributo in Atti di convegno, 2009, pp. 210-213, ISBN: 978-142444896-8.
  20. 20. F. G. Della Corte, F. Aquilino, L. Fragomeni, M. Merenda, F. Pezzimenti, F. Zito, A microchip integrated temperature sensor with RF communication channel and on-chip antenna, "Procedia chemistry", Articolo in rivista, n. 1, 2009, pp. 473-476, ISSN: 1876-6196.
  21. 21. F. Pezzimenti, F. Della Corte, R. Nipoti, Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour, "Microelectronics journal", Articolo in rivista, n. 39, 2008, pp. 1594-1599, ISSN: 0959-8324.
  22. 22. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, R. Nipoti, Simulation and experimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes, "Microelectronics journal", Articolo in rivista, n. 38, 2007, pp. 1273-1279, ISSN: 0959-8324.
  23. 23. F. Della Corte, F. Pezzimenti, R. Nipoti, Simulation study and design considerations for an 4H-SiC aluminium implanted p-i-n diode, The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Contributo in Atti di convegno, 2006.
  24. 24. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor, "Microelectronics journal", Articolo in rivista, n. 35, 2004, pp. 411-415, ISSN: 0959-8324.
  25. 25. S. Perri, P. Corsonello, F. Pezzimenti, V. Kantabutra, Fast and energy-efficient Manchester carry-bypass adders, "Iee proceedings. circuits, devices and systems", Articolo in rivista, n. 151, 2004, pp. 497-502, ISSN: 1350-2409.
  26. 26. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design Considerations for a-Si:H/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistors, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 50, 2003, pp. 2180-2182, ISSN: 0018-9383.
  27. 27. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Design and simulation of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high-frequency characteristics, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Contributo in Atti di convegno, Vol. 5117, 2003, pp. 547-556.
  28. 28. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Study of the DC characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors with an a-Si:H emitter, Contributo in Atti di convegno, 2003.
  29. 29. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design of a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with improved DC and AC characteristics, "Iee proceedings. circuits, devices and systems", Articolo in rivista, n. 150, 2003, pp. 350-354, ISSN: 1350-2409.
  30. 30. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design and simulation of an a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor, The 32th European Solid-State Device Research Conference, Contributo in Atti di convegno, 2002.
  31. 31. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency, "Journal of non-crystalline solids", Articolo in rivista, n. 299-302, 2002, pp. 1365-1369, ISSN: 0022-3093.
  32. 32. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Simulation study of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high frequency characteristics, Contributo in Atti di convegno, 2002.
  33. 33. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency, Contributo in Atti di convegno, 2001.


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