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Fortunato Pezzimenti

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Qualifica: Ricercatore universitario
Telefono: +39 0965 1693274
Fax: +39 0965875463
Indirizzo e-mail:  Indirizzo e-mail
Sito web: http://www.ing.unirc.it
Curriculum:  Curriculum
SSD: ING-INF/01 - Elettronica
Struttura di appartenenza: Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, delle Infrastrutture e dell'Energia Sostenibile

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Descrizione Avviso
Giovedi 11:00-12:00
Si consiglia in ogni caso di contattare preventivamente il docente tramite e-mail per confermare l'appuntamento o concordare giorno e orario differenti.

Pubblicazioni

  1. 1. M. L. Megherbia, F. Pezzimenti, L. Dehimi, S. Rao, F. G. Della Corte, Analysis of different forward current-voltage behaviours of Al implanted 4H-SiC vertical p-i-n diodes, "Solid-state electronics", n. 109, 2015, pp. 12-16, ISSN: 0038-1101.
  2. 2. S. Rao, G. Pangallo, F. Pezzimenti, F. Della Corte, High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes, "Ieee electron device letters", n. 36, 2015, pp. 720-722, ISSN: 0741-3106.
  3. 3. M. L. Megherbi, L. Dehimi, A. Saadoune, W. Terghini, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF THE FORWARD CURRENTVOLTAGE OF AL IMPLANTED 4H-SIC PIN DIODES, Courrier du Savoir, Vol. 19, 2015, pp. 71-76.
  4. 4. F. Pezzimenti, Modeling of the Steady State and Switching Characteristics of a Normally-off 4H-SiC Trench Bipolar-Mode FET, "Ieee transactions on electron devices", n. 60, 2013, pp. 1404-1411, ISSN: 0018-9383.
  5. 5. F. Pezzimenti, S. Bellone, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Steady-State Analysis of a Normally-Off 4H-SiC Trench Bipolar-Mode FET, Silicon Carbide and Related Materials 2012 , Silicon Carbide and Related Materials 2012, Vol. 740 - 742, 2013, pp. 942-945.
  6. 6. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Static and Transient Analysis of a 4H-SiC Trench Bipolar- Mode FET with Normally-off Characteristics, International Semiconductor Conference (CAS 2012), October 15-17, 2012, The 35th International Semiconductor Conference (CAS 2012), Sinaia, Romania, 2012.
  7. 7. F. Pezzimenti, S. Bellone, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications , The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM12), September 2-6, 2012, The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM12), The paper will be also published in a peer-reviewed conference series Materials Science Forum by Trans Tech Publications Inc. , Saint-petersburg, Russia, 2012.
  8. 8. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, S. Bellone, R. Nipoti, Numerical simulations of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics, "Materials science forum", n. 679-680, 2011, pp. 621-624, ISSN: 0255-5476.
  9. 9. S. Bellone, F. G. Della Corte, L. Freda Albanese, F. Pezzimenti, An Analytical Model of the Forward I-V Characteristics of 4H-SiC p-i-n Diodes Valid for a Wide Range of Temperature and Current, "Ieee transactions on power electronics", n. 26, 2011, pp. 2835-2843, ISSN: 0885-8993.
  10. 10. Bellone S, Della Corte F. G, Di Benedetto L, Licciardo G. D, F. Pezzimenti, Investigation of 4H-SiC Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET) as high power transistor, XLIII Riunione Annuale del Gruppo Elettronica (GE2011), Trani , Italia, 2011.
  11. 11. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, S. Bellone, R. Nipoti, Simulation analysis of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics, ECSCRM 2010, The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, 2010.
  12. 12. F. Pezzimenti, F. Della Corte, Design and Modeling of a Novel 4H-SiC Normally-Off BMFET Transistor for Power Applications, IEEE Melecon 2010, The 15th Mediterranean Electrotechnical Conference, Valletta, Malta, 2010, pp. 1129-1134.
  13. 13. F. G. Della Corte, F. Aquilino, L. Fragomeni, M. Merenda, F. Pezzimenti, F. Zito, A microchip integrated temperature sensor with RF communication channel and on-chip antenna, "Procedia chemistry", n. 1, 2009, pp. 473-476, ISSN: 1876-6196.
  14. 14. F. Pezzimenti, L. Freda Albanese, S. Bellone, F. G. Della Corte, Analytical model for the forward current of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes in a wide range of temperatures, IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting , Capri (italy), 2009, pp. 214-217.
  15. 15. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, R. Nipoti, Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration, IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting , Capri (italy), 2009, pp. 210-213.
  16. 16. F. Pezzimenti, F. Della Corte, R. Nipoti, Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour, "Microelectronics journal", Considerando l'anno di pubblicazione, come riportato sul sito della rivista (http://www.journals.elsevier.com/microelectronics-journal/), l'identificativo issn è: 0026-2692, n. 39, 2008, pp. 1594-1599, ISSN: 0959-8324.
  17. 17. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, R. Nipoti, Simulation and experimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes, "Microelectronics journal", Considerando l'anno di pubblicazione, come riportato sul sito della rivista (http://www.journals.elsevier.com/microelectronics-journal/), l'identificativo issn è: 0026-2692 , n. 38, 2007, pp. 1273-1279, ISSN: 0959-8324.
  18. 18. F. Della Corte, F. Pezzimenti, R. Nipoti, Simulation study and design considerations for an 4H-SiC aluminium implanted p-i-n diode, ECSCRM 2006 , September 3-7, 2006, The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle, Uk, 2006.
  19. 19. S. Perri, P. Corsonello, F. Pezzimenti, V. Kantabutra, Fast and energy-efficient Manchester carry-bypass adders, "Iee proceedings. circuits, devices and systems", n. 151, 2004, pp. 497-502, ISSN: 1350-2409.
  20. 20. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor, "Microelectronics journal", Considerando l'anno di pubblicazione, come riportato sul sito della rivista (http://www.journals.elsevier.com/microelectronics-journal/), l'identificativo issn è: 0026-2692 , n. 35, 2004, pp. 411-415, ISSN: 0959-8324.
  21. 21. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design of a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with improved DC and AC characteristics, "Iee proceedings. circuits, devices and systems", n. 150, 2003, pp. 350-354, ISSN: 1350-2409.
  22. 22. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design Considerations for a-Si:H/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistors, "Ieee transactions on electron devices", n. 50, 2003, pp. 2180-2182, ISSN: 0018-9383.
  23. 23. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Study of the DC characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors with an a-Si:H emitter, 20th Internat. Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Campos Do Jordão, S.p., Brazil, 2003.
  24. 24. F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, Design and simulation of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high-frequency characteristics, SPIE International Symposium on Microtechnologies for the New Millennium, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering , Canary Islands, Vol. 5117, 2003, pp. 547-556.
  25. 25. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency, "Journal of non-crystalline solids", n. 299-302, 2002, pp. 1365-1369, ISSN: 0022-3093.
  26. 26. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Design and simulation of an a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor, 32th European Solid-State Device Research Conference, The 32th European Solid-State Device Research Conference, Firenze (i), 2002.
  27. 27. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, Simulation study of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high frequency characteristics, 1st aSi-Net and 8th Euroregional Workshop on Thin Silicon Devices, Salerno (i), 2002.
  28. 28. F. G. Della Corte, F. Pezzimenti, An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency, 19th Internat. Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Nice (f), 2001.


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