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DISPOSITIVI ELETTRONICI A SEMICONDUTTORE

Corso Ingegneria Elettronica
Curriculum Curriculum unico
Orientamento Orientamento unico
Anno Accademico 2014/2015
Crediti 12.00
Settore Scientifico Disciplinare ING-INF/01
Anno Primo anno
Unità temporale Secondo semestre
Ore aula 96
Attività formativa Attività formative caratterizzanti

Canale Unico

Docente FRANCESCO GIUSEPPE DELLA CORTE
Obiettivi N.D.
Programma
Giunzione PN in polarizzazione inversa, Giunzione PN in polarizzazione diretta, Diodo PIN
Commutazione del diodo, Modelli SPICE

Effetto transistor, Funzionamento in regione attiva, Effetto Early, Deboli ed elevate polarizzazioni di emettitore, Tempo di transito nella base

Distribuzione delle bande nella struttura MOS, Regimi di polarizzazione, Sistemi CCD, Capacità del sistema MOS, Carica nell’ossido ed all’interfaccia

Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET, Transistor di potenza, Modelli SPICE

CAD per lo sviluppo di dispositivi a stato solido, Applicazioni di strumenti CAD commerciali


Termistori, Sensori di temperatura integrati, Reticoli di Bragg

Fotodiodi: generazione ottica e correnti fotogenerate, fotodiodi a valanga, Fotoresistori Polarizzazione ed amplificazione.
Dispositivi optoelettronici e fotonici in silicio, guide ottiche, effetti elettro-ottici nel silicio, proprietà fondamentali dei materiali per applicazioni fotoniche, modulatori ottici di ampiezza e di fase integrati in guida d’onda (Fabry-Perot, Mach-Zehnder, Ring Resonator)

Effetto piezoresistivo ed effetto piezoelettrico, Relazioni stress/carica e campo elettrico/deformazione, Surface acoustic waves (SAW), risonatori SAW, Sensori meccanici capacitivi, Integrazione su silicio di sensori micro-meccanici: cantilever e membrane oscillanti

Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET, Transistor di potenza, Modelli SPICE

Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET

Transistor di potenza
Modelli SPICE
Testi docente R. S. Muller - T. I. Kamins “Dispositivi elettronici nei circuiti integrati” Ed. Boringhieri
G. Giustolisi, G. Palumbo “Introduzione ai dispositivi elettronici” Ed._Franco Angeli
S. Dimitrijev “Understanding semiconductor devices” Ed. Oxford University Press
S. M. Sze “Dispositivi a semiconduttore” - Ed. Hoepli
S. Middelhoek “Silicon sensors”
Materiale didattico fornito dai docenti
Erogazione tradizionale Si
Erogazione a distanza No
Frequenza obbligatoria No
Valutazione prova scritta Si
Valutazione prova orale Si
Valutazione test attitudinale No
Valutazione progetto No
Valutazione tirocinio No
Valutazione in itinere No
Prova pratica No
Docente SANDRO RAO
Obiettivi N.D.
Programma N.D.
Testi docente N.D.
Erogazione tradizionale No
Erogazione a distanza No
Frequenza obbligatoria No
Valutazione prova scritta No
Valutazione prova orale No
Valutazione test attitudinale No
Valutazione progetto No
Valutazione tirocinio No
Valutazione in itinere No
Prova pratica No

Ulteriori informazioni


Elenco dei ricevimenti:

Descrizione Avviso
Ricevimenti del docente:
Orario di ricevimento: Mercoledi 11:00-12:00.
Si consiglia di contattare il docente via e-mail
Nessun avviso pubblicato
Nessuna lezione pubblicata
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